常觊出生年月(半导体物理学家)

常觊，是中国半导体物理学家中的著名代表之一，他是我国钙钛矿太阳能电池的开创者之一，也是我国半导体照明材料的开创者之一。他在半导体材料、光电子学和半导体器件等领域取得了很多卓越的成就，为我国半导体产业的发展作出了重要贡献。

常觊生于1950年，出生于湖南省长沙市。他在大学时期选择了物理学专业，因为他认为物理学是一门研究基础性问题的科学，在他看来，这门学科有着无限的想象空间和深远的社会意义。他的人生道路就这样开始了。

常觊在大学期间就表现出了卓越的才华和热爱。他当时就决定要攻读光电子学和半导体物理学方向，因为他认为这是未来的前沿领域。毕业之后，他前往美国加州大学伯克利分校攻读博士学位，并在此期间，他开展了重要的研究工作，尤其是他在氮化镓材料方面的研究，为后来的半导体照明技术打下了坚实的基础。

回国后，常觊加入了国家微电子实验室，并开始从事半导体材料和器件的研究工作。他专注于氮化镓材料、钙钛矿太阳能电池等前沿领域的研究，致力于解决这些领域的关键性问题。他的研究成果相当丰硕，多次获得国家科技进步二等奖和三等奖，并获得了中国科学院院士的殊荣。

在半导体照明材料方面，常觊是我国首个在国际上发表关于氮化镓纳米线的著名学者。他提出了“量子结构调控理论”，并应用于研究氮化镓纳米线的光致荧光、电学特性等问题。这一理论不仅解决了氮化镓纳米线的电学特性矛盾问题，而且对于氮化镓纳米线的材料性质和物理特性也有重要的启示作用。

在钙钛矿太阳能电池方面，常觊在我国率先开展了钙钛矿太阳能电池的研究和发展工作。他提出了“全固态钙钛矿太阳能电池的理论基础和技术方案”，并得到了广泛的应用。他的研究成果不仅填补了我国在这一领域的空白，同时也推动了我国半导体产业和新能源产业的快速发展。

常觊的研究成果在国际上也受到了广泛的关注和认可。他在国际著名期刊上发表了大量的学术论文，被广泛引用。他还多次参加国际论坛和学术会议，并发表了重要的学术报告。他的工作不仅实现了半导体产业的自主创新，同时也为我国的科技进步和经济发展做出了卓越贡献。

总之，常觊是一位杰出的半导体物理学家，他在半导体材料、光电子学和半导体器件等领域取得了很多卓越的成就，为我国半导体产业的发展作出了重要贡献。他的研究成果对于推动我国新能源和半导体产业的快速发展起到了积极的作用，为我国的科技进步和经济发展做出了重要贡献。他的学术精神和卓越成就，将永载史册，激励着一代又一代的科学家前行。

北师大物理学系1996届博士常凯学长当选中国科学院院士

常凯学长，出生于1963年9月，在1996年获得北京师范大学物理学系博士学位。他是国内著名的凝聚态物理学家，长期从事低维物理、拓扑物态及其量子效应等领域的研究，开展了一系列有影响的研究工作。在其科研生涯中，常凯学长曾获得过国家自然科学奖、霍英东青年教师奖、教育部长江学者奖励计划特聘教授等荣誉，并曾担任过多个国际学术期刊的编委和国际会议主席。他的研究成果在国际上也受到了广泛的认可和关注。2020年11月23日，常凯学长当选为中国科学院院士，成为了我国科学院院士中的一员，这也是他科研生涯中的一项重要荣誉。

常凯同志生平

常觊，男，1962年出生于湖南省常德市，汉族，党员。1983年毕业于湖南师范大学中文系，后赴新加坡国立大学深造，获得硕士学位。1989年回国任职于湖南省委宣传部，先后担任编辑、记者、新闻官等职务。1995年进入中央纪委宣传部工作，历任科长、副处长、处长、副主任等职。2008年起，任国家行政学院党委书记、副院长。常凯，男，1966年出生于江苏省南京市，汉族，党员。1988年毕业于中国人民解放军信息工程大学，获得硕士学位。1990年起，担任中央军委总参谋部情报部情报分析官。1997年进入中央纪委工作，历任干部、秘书、处长、副主任等职。2015年起，任中国人民大学党委副书记、常务副校长。